技术编号：14395080
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体器件的制造。特别地，本发明的实施例涉及具有背侧应力诱导层的非平面半导体器件。背景技术金属氧化物半导体（MOS）晶体管器件的关键设计参数是在给定设计电压下递送的电流。这个参数通常被称为驱动电流或饱和电流（IDsat）。对驱动电流有影响的一个因素是沟道区域的载流子迁移率。沟道区域中的载流子迁移率的增加导致驱动电流的增加。NMOS和PMOS晶体管中的载流子分别是电子和空穴。通过使该区域受到单轴拉伸应变，可以增加NMOS器件中的沟道区域的电子迁移率。替换地，可以通过在沟道区域上施加...
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