技术编号：1440500
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体硅片加工设备清洗的工艺，尤其涉及一种用于硅片刻蚀的反应 腔室清洗的方法。背景技术目前在半导体制造工艺中，半导体元器件的特征尺寸越来越小，所以，相应的对半导 体的加工工艺要求也越来越高，其中，对工艺过程中的颗粒(particle)的控制是控制期 间成品率很关键的一个因素。在半导体制造的刻蚀制程中，颗粒控制是一个至关重要的一部分。刻蚀过程中颗粒来 源有很多，当腔室使用的时间较长时，由于刻蚀的副产物附着在腔室内壁，所以在接下来 的刻蚀过程中，...
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