技术编号：14407262
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。背景技术随着集成电路的不断发展，人们对器件的性能要求也越来越高，同时器件的双峰效应对电路的影响也越来越明显。双峰效应可能会导致半导体的输出错误，进而产生终端失效，使整个电路的可靠性受到影响。通常情况下，产生双峰效应的原因是器件的边缘效应。图1为现有的一种半导体器件的俯视图，如图1所示，所述半导体器件中的栅氧化层10部分位于有源区20内，并从所述有源区20延伸出。其中，由于成膜工艺的特性，会使位于有源区20外侧的栅极氧化层10b的厚度和...
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