技术编号：14407352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体领域，尤其涉及蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法。背景技术湿法剥离是目前进行氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离的技术之一。湿法剥离通过化学溶液蚀刻氮化镓外延层与蓝宝石衬底界面处的氮化镓层，实现氮化镓外延层与蓝宝石衬底的分离。关于湿法剥离工艺，需要解决的一个问题是：如何防止化学剥离蚀刻与蓝宝石相邻氮化镓外延层的过程中蚀刻液对半导体器件结构层的过腐蚀，造成器件结构的损伤。一般而言，采用MOCVD在图形化蓝宝石衬底上外延生长得到的氮化镓其上表面为镓极性面，下表面为氮极性面、朝向...
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