技术编号:14407355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体领域,尤其涉及一种图形化衬底及其制作方法。背景技术垂直结构是发光二极管结构中的一种,目前制备该类二极管时,化学剥离是实现垂直结构芯片与基板分离的方式之一。在化学剥离的工艺中,通常需要在外延层与基板之间形成一空腔结构,使化学剥离蚀刻液能够通过空腔构成的通道流入内部,移除牺牲层,实现外延层与基板分离。在专利CN102569551B《具有蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法》中,采用图案化SiO2作为牺牲层,然后在未受该图案化牺牲层遮盖的基板上生长暂停磊晶层。通过含氟化学溶液移除该图案化S...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。