技术编号：14407384
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于LED封装技术领域，具体涉及一种在量子点膜层结构的制作方法。背景技术量子点（Quantum Dot，简称QD）是由锌、镉、硒、硫等元素化合成的半导体材料制成，直径2～10nm的纳米粒子，具有发光效率高，使用寿命长，颜色纯度好的特点。通过改变量子点材料的尺寸和化学组成可以使其荧光发射波长覆盖整个可见光区。由于QD极易氧化，一点空气或水都会彻底毁掉量子点。因此，若要在空气中使用，必须将量子点进行隔绝空气和水的处理。目前QD应用的时候通常采用的方式：1）将QD灌注在玻璃细管内，两边做封装处理...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。