技术编号：14408927
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅生产设备技术领域，具体涉及一种用于制备多晶硅的热载体和多晶硅反应炉。背景技术目前，一般采用西门子法制备高纯度的多晶硅，西门子法一般采用硅芯作为反应器内的加热源和硅料气相沉积的载体，但反应器内硅芯需经高电压击穿(击穿电压需在4.5KV以上，因此对反应器的绝缘有很高要求)或反应器内放置预加热器使炉温提温至约800℃，使硅芯电阻率降低后，在持续电流的作用下自然击穿硅芯，使硅芯形成导电体发热，产生的热能为反应器内部提供约1000℃的高温环境，使进入反应器内的氢气与三氯氢硅发生气相反应，不...
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