一种基于CCD相干因子检测装置的最佳像面调校方法与流程技术资料下载

技术编号:14442974

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本发明涉及到光学投影曝光光刻的透镜轴向CCD离焦情况的检测装置,尤其是能实现装置中CCD在透镜轴向最佳像面的校准。背景技术集成电路制造中利用光化学反应原理,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术,称为光刻技术。集成电路规模从60年代的每个芯片上只有几十个晶体管到现在的10亿个晶体管的飞速发展,光刻技术的支持起到了极为关键的作用。典型的光刻技术包括光学曝光光刻、X射线光刻、电子束光刻等。目前,半导体制造行业中大多采用193nm浸入式光刻技术或193nm光刻技术作为...
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