技术编号:14443517
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本公开涉及集成电路领域。背景技术已提出改变集成电路的本体偏置电压以提高性能和/或降低功耗。因为这种技术允许将相对高的偏置电压(例如,从低至-3V到高至+3V)施加到器件的本体,所以向基于SOI(绝缘体上硅)的晶体管技术的转变使得本体偏置成为特别有趣的议题。具体地,将偏置电压施加到每个晶体管器件之下的p型阱或者n型阱(有时被称作背栅极)。这在块状晶体管的情况下与更有限的偏置范围-300mV至+300mV进行比较。例如,正向本体偏置(FBB)涉及施加正的后向偏置(Back Biasing)电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。