技术编号:14446553
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料领域,涉及一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。背景技术硒氧化铋(Bi2O2Se)是一种传统的热电材料,属于四方晶系由(Bi2O2)n层和Sen交替连接构成而具有二维层状晶体结构。Bi2O2Se由于独特的晶体和能带结构,使其具有优异的电学、光学、光电性能和环境稳定性。作为一种超高迁移率的二维半导体层状材料,Bi2O2Se室温下其场效应电子迁移率高达2200cm2V-1S-1,开关比高达106,亚阈值摆幅低至65mV/dec,可能应用于高性能逻辑器件、光电等领...
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