技术编号：14448329
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体而言涉及半导体装置制造领域，且更具体而言，涉及一种控制离子撷取系统的离子束撷取稳定度与离子束流的源壳体组件。背景技术在半导体制造中，离子植入是用于在各种基于半导体的产品的生产期间改变半导体晶片性质的常用技术。离子植入可用于引入用来改变导电性的杂质(例如，掺杂剂植入)、使晶体表面改性(例如，预先非晶化(pre-amorphization))、生成隐埋层(例如，晕圈植入(halo implant))、生成污染物的吸收部位、及生成扩散屏障(例如，氟与碳共同植入)。此外，离子植入可用于非晶体管...
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