技术编号:14451298
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体制造领域,且特别涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是一种轻掺杂的MOS器件,与CMOS工艺具有非常好的兼容性,并具有良好的热稳定性和频率稳定性、高的增益和耐久性、低的反馈电容和电阻,广泛应用于射频电路。在BCD工艺中通常需要漏端可承受高压的P型LDMOS器件。在现有技术中,常规的P型LDMOS器件的结构如图1和图2所示,包括:半导体衬底100,位于半导体衬底上的N阱101;位于N阱101内的沟道区102和漂移区103;位于...
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