技术编号：14451313
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属半导体集成电路技术领域，特别涉及一种用于系统级封装的防静电装置。背景技术基于硅通孔(Through-Silicon Via，简称TSV)的三维封装(3D-TSV)具有高速互连、高密度集成、小型化等特点，同时表现出同质和异质功能整合等优点，成为近年来半导体技术最热门的研究方向之一。尽管3D-TSV封装技术具有诸多优势，但目前仍存在一些不利因素制约3D-TSV集成封装技术的发展。其中，三维堆叠时抗静电能力是影响3D-TSV集成封装技术的发展的一个重要因素；由于不同芯片的抗静电能力不同，在三维...
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