技术编号：14451319
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种金属互连结构及其制作方法。背景技术在半导体后段工艺中，可根据不同需要在半导体衬底上设置多层金属互连结构，每层金属互连结构包括金属互连线和绝缘层，在绝缘层内形成沟槽和通孔，然后在所述沟槽和通孔内沉积金属，沉积的金属即为金属互连线，一般选用铜作为金属互连线材料。然后在上述结构的基础上沉积铝衬垫，顶层互连结构与铝衬垫键合，为后续的封装制程作准备。现有金属互连结构中，顶层金属层102通过填铝的再分布通孔层103与铝衬垫层104连接，与前层金属互连层100的连接则通过...
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