技术编号:14453278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及通信领域,并且更具体地,涉及一种存储设备以及存储方法。背景技术相变存储器(Phase Change Memory,PCM)技术是一种非易失性存储技术,主要原理是利用相变材料在晶态和非晶态下阻值的差异,作为信息中的0和1的存储。晶态表现为低阻特性,也称为1状态;非晶态表现为高阻特性,也称为0状态。在断电状态下,晶态和非晶态不会改变,因此可以作为一种很好的非易失性存储技术。PCM中相变材料的晶态和非晶态的变化可以通过电脉冲来控制。相变材料从晶态到非晶态所需的电脉冲为复位脉冲(rese...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。