技术编号:14468840
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氢化物气相外延用的多层喷头结构。背景技术氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料,广泛应用于蓝光LED和高温高频大功率电子器件的制备。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy,HVPE)技术具有生长速率高(最高可达800μm/h),生产成本低等特点,非常适合氮化镓(GaN)晶片的大批量生产。氮化镓(GaN)晶片厚度均匀性和晶体质量是保持市场竞争力的关键。通常NH3极易扩散由于其物理特性极易扩散,且通入反应腔内的量远大于GaCl,因此保证氮化镓(GaN...
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