技术编号：14475791
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及混合装配逻辑电路和静态存储器(SRAM)的半导体器件。背景技术在特开平7-86916号中，公开了在逻辑电路中设置电源开关，给构成逻辑电路的MOS晶体管加上背面栅极偏压的构成。此外，在特开平2000-207884号中，公开了对含有静态存储器的应对低电压动作的系统LSI的衬底偏压控制技术。在特开平2001-93275号中公开了在逻辑电路中设置逻辑电源，在存储器电路中设置存储器电源的构成。现在，人们广为制造把SRAM电路和逻辑电路集成于同一半导体芯片上边的被称之为系统LSI的半导体集...
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