技术编号：14475796
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于信息存储领域，更具体地，涉及一种基于交叉点阵列的阻变存储器的写入方法。背景技术DRAM作为内存已有数十年之久。然而，DRAM的工艺制程降低到十几纳米以后难以进一步缩小，并且其单元访问延迟一直维持在几十纳秒难以进一步降低。此外，DRAM是一种易失性的存储器，其刷新操作带来的能耗开销已经不容忽视。这些问题使得用DRAM构建大容量、低延迟、低能耗的内存变得愈加困难。新兴的非易失存储器的出现给内存的发展带来了希望。其中，阻变存储器(resistive random-access memory，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。