技术编号：14476119
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种基于萘环小分子纳米浮栅有机场效应晶体管存储器及制备方法。背景技术随着大数据时代的到来，面对海量的信息处理和存储对开发大容量、高密度、高速度的非易失性存储器提出了要求。与传统无机半导体存储器件相比，基于有机半导体存储器具有无法比拟的优势。由于有机材料来源广泛、可以溶液加工、成本低廉可以大面积低温制备，可与柔性基底集成等常规无机半导体不具备优点。有机场效应晶体管具备非破坏性读取、易于逻辑电路集成等优势适用于下一代可穿戴式电子工业的发展方向。有机场效应晶体管...
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