技术编号:14478931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种SiC衬底的图形化方法。背景技术作为第三代宽禁带半导体材料中的代表,SiC以其优异的物理化学特性以及电学特性成为制造高温、高频、大功率半导体器件的重要材料之一。同时,SiC还是自然界中硬度仅次于金刚石的半导体材料,常温下几乎和所有物质不发生化学反应。从材料制作工艺角度出发,SiC的制作工艺又与传统且成熟的Si半导体加工工艺高度兼容,它可以通过氧化直接形成SiO2钝化层,这是其它化合物半导体材料所不可比拟的。对衬底进行图形化是半导体工艺中不可缺少的一环,...
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