技术编号:14480663
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片制造技术领域,特别地,涉及一种适用于宽沟槽的多晶硅填充方法。【背景技术】在半导体芯片制造中,经常会出现需要对沟槽进行填充以及对填充物进行回刻。然而,在利用多晶硅作为填充物进行沟槽填充以及对填充物进行回刻的过程中,经常会出现以下现象:对于开口尺寸越大的沟槽,填充物的填充效果越差,且在对填充物进行回刻之后,填充物表面的形貌越差,比如出现很深的凹坑等。因此,对于宽尺寸沟槽的上述问题会给后续的工艺带来一系列困难。有鉴于此,有必要提供一种多晶硅填充方法,以解决现有技术存在的上述问题。【...
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