技术编号:14489762
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成芯片制造领域,尤其涉及一种三层芯片集成方法。背景技术当前的三维集成电路(3D-IC)技术是通过硅穿孔或者混合键合将两个不同的芯片进行集成,虽然达到了集成器件性能的提高。但随着科技的发展,人们对器件性能和集成度的要求越来越高,两层芯片集成已经不能满足日益膨胀的需求了。发明内容针对上述问题,本发明提供了一种三层芯片集成方法,其中,提供一具有第一金属互连层的第一衬底、一具有第二金属互连层的第二衬底和一具有第三金属互连层的第三衬底,包括以下步骤:步骤S1,所述第一衬底的第一键合面和所述第二...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。