技术编号:14489764
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体的制造工艺领域,特别涉及物理气相沉积机台对孔或沟槽的填充能力的检测方法。背景技术随着半导体技术的不断发展,目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构,三维存储器的技术研发是国际研发的主流之一。在三维存储器中,用于连线的金属层沉积结构通常采用化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)工艺实现。其中物理气相沉积工艺为,在真空条件下,采用物理方法,将材料源表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功...
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