技术编号:14504458
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种背照式(BSI)图像感测器结构,与制造背照式图像感测器结构的方法。特定言之,本发明涉及一种具有金属层在金属绕线中作为高反射层,与视情况需要在金属绕线中安排有图案化底阻障层的背照式图像感测器结构,以及制造此等背照式图像感测器结构的方法。背景技术对于背照式互补金属氧化物半导体图像感测器(CIS)而言,感光元件(即感光二极管)是设于厚度范围在数个微米(2-5微米左右)的硅中。硅基材这样的厚度,适合用来侦测可见光范围内的波长(400-700纳米左右)。然而,对于近红外线光源或是红外线光源而...
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