技术编号：14509893
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于生产具有多个不同回蚀刻掺杂区的太阳能电池的方法。背景技术太阳能电池被用作用于把光转换为电能的光伏元件。为了该目的，多个不同掺杂区被设置在半导体衬底例如硅晶片中。一方面，这些掺杂区可以在它们的掺杂极性上不同，即，它们可以是n型掺杂的或p型掺杂的；另一方面，这些掺杂区也可以在掺杂浓度上不同，即，在掺杂区的体积内的掺杂剂的密度上不同。考虑到这些个不同掺杂区内的电荷载流子的不同类型或密度，在毗邻的掺杂区之间的边界处产生电位差。借助于这样的电位差，已经在这些边界的邻近处通过光的吸收而产生的电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。