技术编号:14520914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种金属电极制备方法及压接式IGBT。背景技术全控型电力电子器件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),由于其具备优越的门极控制功能、较低的通态损耗以及驱动电路简单等优点,广泛应用于大功率高压设备领域。全控型电力电子器件IGBT从封装形式来分主要包括压接式IGBT和焊接式IGBT。其中,压接式IGBT相较于焊接式IGBT不需要芯片焊接,无引线键合,可减小寄生电感,同时实现双面散热,可靠性更高。同时压接式封装IGBT特点的短...
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