技术编号：14520918
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭露是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种场效晶体管的金属栅极，例如高介电常数金属栅极，及其制造方法。背景技术半导体集成电路(IC)产业已经历快速成长。IC材料和设计的技术进步已生产出许多世代的IC，且每一世代都比前一代具有较小和更复杂的电路。在IC进化的过程中，功能密度(即每个晶片面积中内连接装置的数目)普遍随着几何尺寸[即利用一次制程所能创造最小的组件(或线)]的减小而增加。尺度缩小制程一般提供增加生产效率和减少相关成本的效益。上述尺度缩小制程也增加制造和生产IC的复杂度。一些I...
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