技术编号：14527315
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体工艺中的热扩散掺杂技术，具体的是涉及半导体工艺中一种浅PN结扩散技术。背景技术随着集成电子技术的不断进步，芯片的特征尺寸不断的减小，从而面临着不少挑战，其中之一是浅PN结的掺杂技术。如深亚微米金属氧化物半导体器件中源\/漏区，特别是源漏延伸区的结深要求随着栅长的缩减而不断地减小以抑制逐渐增强的短沟道效应，同时相应的表面浓度随之增加以减小源\/漏区串联电阻来提高电路速度。正如国际半导体协会(SIA)的超大规模集成电路发展要求书(Roadmap)中规定：技术水准为130nm，特征...
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