技术编号：14546291
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种抗腐蚀金属及防止金属被腐蚀的方法。背景技术在MEMS工艺中，氮化硅薄膜一般可用作金属表面的绝缘层，阻挡后续工艺中遇到的各种酸腐蚀，保护金属层。常用沉积氮化硅薄膜的方法有LPCVD(低压化学气相沉积法)和PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)。LPCVD法比PECVD法沉积速率较慢，且氮化硅薄膜均匀性和致密性更好，产生的Pin‐hole(针孔)较少。不过LPCVD沉积的温度约为800～1200摄氏度，比PECVD(沉积温度约300～400摄氏度)高很多，而金属Al熔点约为660摄氏...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。