技术编号：14571176
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。依据35 U.S.C.§119(a)，本非临时申请要求2016年11月24日在日本提交的专利申请No.2016-227532的优先权，在此通过引用将其全部内容并入本文。技术领域本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂膜层叠体和图案形成方法。背景技术随着目前朝向更高集成密度的微电子器件发展，多芯薄层封装被使用。为了制造多芯结构，需要形成具有10-100μm或更大的高度的凸点电极作为连接端子的技术。通过电镀形成电极时，常常使用化学增幅正型光致抗蚀剂组合物，因为其可容易地实现高灵敏度和高分辨率并且镀敷后光致抗蚀剂...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。