技术编号：14573365
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求了在2012年5月30日提交的法国专利申请第12/54987号的优先权权益，以法律允许的最大程度通过引用将其以并入于此。技术领域本公开涉及一种能够承受高电压(典型地，大于500V)的竖直功率部件，并且更具体地针对此类部件的外围结构。背景技术图1为竖直功率部件的截面图，图示出以所谓的“平面”技术形成部件的外围以保护部件边缘的方法。在该示例中示出的部件为包括轻掺杂N-型硅衬底1(N-)的三端双向可控硅开关元件，其中，其具有1014至1015原子/cm3范围的当前掺杂，具有...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。