技术编号：14586455
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及RFMEMS器件制造领域，特别涉及一种RFMEMS器件光刻胶牺牲层的制备方法。技术背景RFMEMS器件具有体积小、功耗低、隔离度高、损耗低等优点，在通讯、航天、生物医学领域有广泛的应用前景。在MEMS制造中，常会用到牺牲层技术，即在下层电路生长一层填充层，再在填充层上加工上层电路，最后通过化学刻蚀等手段将这部分填充层腐蚀掉从而得到悬空的上层结构。由于被去掉的填充层只起到分离层的作用，故称之为牺牲层。已有的牺牲层材料包括Si、SiO2、PI、光刻胶以及Al、Ti等材料。其中正性光刻胶(后...
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