技术编号:14594716
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件领域,特别涉及一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件。背景技术槽型栅结构的功率场效应晶体管(trench power MOSFET)以其低通态压降、高频工作能力、驱动控制简单、易并联等优点广泛地应用在功率控制领域。但在苛刻环境下,器件的抗单粒子能力较差。但本申请申请人在实现本申请实施例中申请技术方案的过程中,发现上述技术至少存在如下技术问题:现有技术中改善抗单粒子能力的方法存在应用局限性较大,并且工艺实施困难的技术问题。发明内容本申请实施例通过提供一种增强抗单粒子能力加固的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。