技术编号：14594765
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及退火技术领域，具体涉及一种扩散片退火工艺。背景技术IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)作为新型功率半导体器件，是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。它问世近三十年，国内业内已做到8英寸晶圆、6500伏的高水平。由于它在强电领域广泛应用，专业人士已十分了解。从技术角度上看，IGBT技术含量高、制造难度大，这是...
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