技术编号:14611453
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管领域,更具体地说,是一种半导体发光器件,被注入空穴的浓度增加到使用氮化物半导体的发光器件上的活性层,以提高发光效率。背景技术发光二极管(LED)是一种能将电流转化成光的半导体发光器件。一般来说,发光二极管包括一个活性层,它带有不同掺杂剂n型和p型分别存在于半导体层之间。驱动电流可以被许可于n型半导体层和p型半导体层时,从n型半导体层和p型半导体层开始各自的电子和空穴会被注入到活性层。被注入的电子和空穴在活性层中重新组合后会发出光。氮化物发光器件采用氮化物半导体材料,具有较宽的...
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