技术编号：14649067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种用于相变材料GeSbTe的化学机械抛光液，属于化学机械抛光液领域。背景技术相变存储器因具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点，而被认为是当前最具竞争力的新一代非挥发性存储器。目前最成熟的相变存储材料为GeSbTe材料。为实现高密度存储，需将GeSbTe材料沉积在由电介质材料（通常为二氧化硅）定义的纳米孔中，然后通过化学机械抛光（CMP）的方法，将纳米孔上方的相变材料进行去除。为保证CMP工艺的成功实施，除需优化工...
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