技术编号：14650872
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例大体涉及处理基板的方法。背景技术在等离子体处理基板期间，用于连续按比例缩小特征结构的一种工艺为原子层蚀刻。传统上，原子层蚀刻是利用处理方案执行的，处理方案依靠切换气体混合物来达成用于钝化(官能化、吸附、沉积)的合适的等离子体化学组成和用于后续蚀刻工艺的合适的等离子体化学组成。通常，基板首先暴露于最低限度蚀刻等离子体，以钝化上层。在钝化工艺期间，等离子体的离子能量应小于用于蚀刻钝化顶层的阈值。接着，使钝化层暴露于蚀刻等离子体，以移除钝化顶层。在蚀刻工艺期间，等离子体的离子能量应小于用...
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