技术编号：14655561
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。揭示于本文的专利目标是有关于集成电路。更特别的是，本发明有关于一种金属氧化物半导体(MOS)可变电抗器。背景技术可变电抗器为具有取决于外加电压的电容的半导体二极管且常用于现代通讯系统。集成电路常包括可变电抗器(varactor也称为“variable reactor”)。可变电抗器提供有基于表现在端子的电压及控制电压的可变电容的电压控制式电容组件。金属氧化物半导体(MOS)可变电抗器可具有施加至栅极端子的控制电压，该栅极端子可控制施加特定电压至装置的其余端子所得到的电容。由于可变电抗器基于被逆偏...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。