技术编号:14655789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及固态硬盘控制技术,特别涉及一种缓解MLC闪存写干扰问题的方法。背景技术在闪存单元(Flash Cell)使用浮动栅晶体管(Floating Gate Transistor)的电压值来表示存储的数据,MLC(Multi Level Cell)闪存的闪存单元可以存储多个比特值,图1是MLC闪存的闪存单元示意图,MLC闪存单元的编程(program)要求分两步,第一步:编程闪存单元的LSB,第二步:编程闪存单元的MSB。没有进行编程的闪存单元处于擦除状态,只完成第一步编程的闪存单元处于非完全...
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