技术编号:1467246
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于从微电子器件上清洗化学机械抛光后(CMP)残留物、蚀刻后残留物和/或污染物的碱性水性组合物,其中所述水性清洗组合物可以有效地去除CMP后残留物、蚀刻后残留物并钝化金属互连 材料,而不破坏在所述微电子器件上的低-k介电材料。背景技术由于半导体器件的几何尺寸的持续縮小至小于0.18pm,更多重点 已经放到了改进互连结构以最小化阻容(RC)迟滞。使互连迟滞最小化 的方案包括提高互连金属的电导率和降低介电层的介电常数(k)值。例 如,在高级器件中,铜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。