技术编号:14681588
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及干刻蚀领域,特别是涉及一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管。背景技术薄膜晶体管是各类电子设备的主流显示元件,而多晶硅薄膜晶体管由于其载流子迁移率高,并可将周边电路集成到极板上,以减少外部IC数量,连接端子也较少,有利于降低成本和提高产品可靠性,因此,成为人们研究的热点。其中,所述多晶硅薄膜晶体管中图案层的制备方法包括干刻蚀法和湿刻蚀法,且干刻蚀法的原理主要是通过高能等离子体轰击待处理的多晶硅薄膜晶体管,使没有光阻覆盖区域的图案层材料分子逸出,达到刻蚀的效果,此方法刻蚀精确,制备的产品线宽精...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。