技术编号:14681605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种HEMT器件,具体涉及一种包含介质层的p型栅HEMT器件及其制作方法,属于半导体电子开关器件技术领域。背景技术Ⅲ族氮化物半导体作为重要的第三代半导体材料,拥有大禁带宽度、高击穿电场、高电子迁移率、高饱和电子速率等优良特性,在工业、电力系统、交通运输、通讯、消费电子等领域有广泛的应用前景。Ⅲ族氮化物半导体异质结构因为极化效应可以产生高浓度(>1013cm-2)和高电子迁移率(>103cm2/V·s)的二维电子气。基于Ⅲ族氮化物半导体异质结构的高电子迁移率晶...
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