技术编号:14681787
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本案是有关于一种基本电子电路及其制造方法,且特别是有关于一种积体电感及其制造方法。背景技术一般电感于晶片中占用较多面积,且电磁辐射(EMI radiation)状况较为严重。因此,八字型电感应运而生,其具备较低的电磁辐射,且基于其结构特性而能相互抵销耦合现象,而具备较低的互耦值。然而,随着现有电子装置逐渐朝向微型化发展,八字型电感于晶片中依然占据了一定的体积,而不利于电子装置的微型化。此外,相较于一般电感,八字型电感的品质因素(quality factor)较低。由此可见,上述现有的方式,显然仍...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。