技术编号：14681825
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及半导体器件，更具体地，涉及具有气隙间隔物的半导体器件以及制造其的方法。背景技术近来，半导体器件在尺寸上正变得更小。此外，半导体器件的性能与日俱增。因此，布线图案之间的间隔被减小，这可能增大寄生电容。通过使用具有低介电常数的气隙作为布线图案之间的间隔物，能减小寄生电容。发明内容根据本发明构思的一示例性实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，其中单元区包括位线结构、形成在位线结构的两个侧壁上的位线间隔物、以及形成在位线结构上的下电极，其中外围电路区至少...
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