技术编号:14681987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,涉及一种二维材料柔性衬底结构、焦平面光探测器阵列及制作方法。背景技术短波红外(SWIR,1-3微米)InGaAs焦平面探测器阵列可以满足“全天时、多天候”的应用需求,在情报侦察识别、军用夜视、光电对抗和激光制导等军事装备领域以及在安全检测、防火预警、工业检测和驾驶视觉增强等民用领域具有广泛并且重要应用价值1-3。InGaAs材料量子效率高,材料稳定性好,能在室温工作,在相同短波红外波段器件性能超越了碲镉汞器件。InGaAs探测器成像对比度高,目标细节清晰,在目标识别方面...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。