技术编号：14685819
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容涉及用于选择性蚀刻氧化物和氮化物材料的技术以及使用这样的技术形成的产品。具体而言，本公开内容涉及用于在微电子器件或其前体的制造期间选择性蚀刻工件上的氧化物和氮化物材料的技术以及使用这样的技术形成的微电子器件。背景技术公知了用于形成集成电路和微电子器件的不同工艺。在这些工艺之中有所谓的“镶嵌工艺”，其总体上涉及使用光致抗蚀剂和蚀刻工艺来从衬底或其它电介质材料中选择性去除材料。例如，光致抗蚀剂可以沉积在硅晶圆上并且随后例如通过暴露至紫外光、电子束等等来进行图案化。然后可以例如经由暴露至湿法...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。