技术编号:14687714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种半导体器件及其形成方法。背景技术随着半导体技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸不断缩小,使得集成电路的集成度越来越高,这对器件的性能也提出了更高的要求。目前,随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸不断变小。为了适应工艺节点的减小,只能不断缩短MOSFET场效应管的沟道长度。沟道长度的缩短具有增加芯片的管芯密度、增加MOSFET场效应管的开关速度等好处。然而,随着器件沟道长度的缩短,器件源极与漏极间的距离也随之缩短,这样一来栅极对沟道的控...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。