技术编号:14687720
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法,更具体地,涉及使用具有由不含氧材料形成的顶板的室进行蚀刻。背景技术随着集成电路不断按比例缩小并对集成电路的速度要求日益增加,需要晶体管在尺寸越来越小的同时具有更高的驱动电流。鳍式场效应晶体管(FinFET)由此得到发展。FinFET包括垂直的半导体鳍。半导体鳍用于形成源极区和漏极区,并且用于在源极区和漏极区之间形成沟道区。形成浅沟槽隔离(STI)区以限定半导体鳍。FinFET还包括形成在半导体鳍的侧壁和顶面上的栅极堆叠件。在STI区的形成中,可以使用垫氧...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。