技术编号：14688786
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种能够有效降低碳化硅外延表面缺陷的生长方法，适用于单片外延炉以及行星式多片外延炉。通过采用低、高温结合的原位刻蚀衬底工艺以及高于外延温度的生长缓冲层的高温低速外延工艺，有效降低了碳化硅表面外延缺陷密度，特别是对器件性能有致命影响的缺陷，如三角形、胡萝卜位错、掉落物以及大三角形等的控制，如图1和图3所示，外延表面缺陷密度可以由2\/cm2降低至0.5\/cm2以下。且该方法工艺流程简单，易于操作，重复性和一致性较好，适合于批量性生产使用。背景技术碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料，具...
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