技术编号:14689064
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术领域,具体地,涉及一种反应腔室及半导体加工设备。背景技术LEDPECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,等离子体增强化学气相沉积)设备主要用于在蓝宝石或硅片表面沉积镀膜(例如SiN\/SiO等)。目前,LEDPECVD设备的反应腔室普遍采用手动取放片设计,即,依靠操作人员手动将晶片放置在反应腔室内的下电极上,以进行沉积工艺。图1为现有的反应腔室的局部剖视图。如图1所示,在反应腔室10内设置有用于承载晶片的下电极11,该下电极11由...
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